SK海力士季報(bào)全面超預(yù)期！擴(kuò)大資本開支，3月量產(chǎn)HBM3E，與臺(tái)積電簽署HBM4開發(fā)協(xié)議

激石Pepperstone(http://dsgkdz.com/)報(bào)道：

AI需求火爆，世界第二大內(nèi)存芯片制造商SK海力士一季度營(yíng)收猛增，在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)全面回暖之際，今年資本支出將略高于計(jì)劃水平，并將增加HBM3E芯片的供應(yīng)，吸引更多客戶。

4月25日，SK海力士發(fā)布了2024財(cái)年第一季度（截至2024年3月31日）財(cái)報(bào)，一季度營(yíng)收和盈利均高于預(yù)期，收入達(dá)到12.4296萬(wàn)億韓元，增長(zhǎng)超一倍，創(chuàng)歷史同期新高。

財(cái)報(bào)指出，憑借其核心HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)在技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)力，一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到2.886 萬(wàn)億韓元，同比扭虧為盈，環(huán)比大增734%，遠(yuǎn)高于分析師預(yù)期的1.8萬(wàn)億韓元，創(chuàng)下2018年以來(lái)第二高水平，一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為23%，凈利潤(rùn)率為15%，毛利率為39%。

受算力驅(qū)動(dòng)，HBM存儲(chǔ)器優(yōu)勢(shì)凸顯，在AI時(shí)代迅速崛起，海力士圍繞HBM積極擴(kuò)產(chǎn)，并于3月宣布量產(chǎn)新一代HBM3E高帶寬存儲(chǔ)芯片，上周五表示已與臺(tái)積電簽署了協(xié)議，合作生產(chǎn)下一代高帶寬內(nèi)存HBM4芯片。

考慮到計(jì)劃的大規(guī)模投資，SK海力士預(yù)計(jì)今年的總資本支出將超過(guò)2024年最初計(jì)劃，除了計(jì)劃增加投資以滿足不斷增長(zhǎng)的客戶需求外。SK海力士還將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)提高傳統(tǒng)DRAM供應(yīng)，預(yù)計(jì)將帶動(dòng)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)，提升公司的投資效率和財(cái)務(wù)穩(wěn)健性。

該公司首席財(cái)務(wù)Kim Woohyun表示:“憑借HBM領(lǐng)域業(yè)內(nèi)最佳技術(shù)，已進(jìn)入明顯的復(fù)蘇階段。我們將繼續(xù)致力于在正確的時(shí)間提供業(yè)內(nèi)性能最佳的產(chǎn)品，堅(jiān)持盈利優(yōu)先，以改善財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)?！?/p>

截至發(fā)稿SK海力士下跌2.8%，今年以來(lái)，SK海力士的股價(jià)上漲超22.6%。

HBM需求猛增

SK海力士在財(cái)報(bào)中強(qiáng)調(diào)，因HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)在技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)力，公司AI服務(wù)器產(chǎn)品銷量增加，盈利能力穩(wěn)步提高，帶動(dòng)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)環(huán)比大增734%。預(yù)計(jì)隨著AI存儲(chǔ)器需求持續(xù)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)從下半年開始復(fù)蘇，整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)將在未來(lái)數(shù)月保持穩(wěn)步增長(zhǎng)。

SK海力士決定增加3月率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的HBM3E供應(yīng)量，并拓展其產(chǎn)品的客戶群基于第五代10納米工藝(1bnm)的32Gb DDR5產(chǎn)品，鞏固在高容量服務(wù)器DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，預(yù)計(jì)二季度DRAM B/G季環(huán)比增幅將處于10%-20%區(qū)間的中部。

立體堆疊的高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory）兼顧帶寬和容量，較其他存儲(chǔ)器有高帶寬、低功耗、面積小的三大特點(diǎn)，完美契合大模型的要求。分析師指出，HBM作為今后AI時(shí)代的“必備材料”，雖然在內(nèi)存市場(chǎng)中比例還不大，但盈利能力是其他DRAM的5~10倍

就NAND閃存而言，財(cái)報(bào)強(qiáng)調(diào)，隨著高端eSSD產(chǎn)品的銷售比重提升，而且平均售價(jià)（ASP）也有所上升，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，對(duì)公司具有重要意義。

在NAND方面會(huì)進(jìn)一步推進(jìn)產(chǎn)品優(yōu)化，維持盈利復(fù)蘇趨勢(shì)，一方面將大力提升在16通道eSSD(公司具有技術(shù)優(yōu)勢(shì))和其美國(guó)子公司Solidigm基于QLC的高容量eSSD的銷量，并將盡早推出第五代用于AI電腦的PCIe cSSD，優(yōu)化的產(chǎn)品陣容響應(yīng)市場(chǎng)需求。

HBM供不應(yīng)求，海力士積極擴(kuò)產(chǎn)

目前，只有SK海力士、三星電子和美光能夠提供HBM芯片，這些芯片可以與強(qiáng)大的GPU配對(duì)，如英偉達(dá)的H100系統(tǒng)，用于AI計(jì)算。2023年HBM市場(chǎng)規(guī)模為40億美元，預(yù)計(jì)2024年增長(zhǎng)至150億美元，到2026年增長(zhǎng)至接近250億美元，年復(fù)合增速高達(dá)80%以上。

SK海力士則為HBM領(lǐng)域龍頭，Trendforce集邦咨詢估計(jì)，SK海力士今年可能獲得全球市場(chǎng)52.5%的份額，其次是三星（42.4%）和美光（5.1%）。

SK海力士和臺(tái)積電宣布合作后，臺(tái)積電的先進(jìn)封裝技術(shù)則有助于HBM芯片和圖形處理單元（GPU）高效協(xié)同工作，進(jìn)一步擴(kuò)大SK海力士的市場(chǎng)份額。

4月初，SK海力士宣布將斥資38.7億美元在印第安納州西拉斐特市建立一座先進(jìn)封裝廠和人工智能產(chǎn)品研發(fā)中心。

在財(cái)報(bào)發(fā)布前，SK海力士計(jì)劃投資約過(guò)20萬(wàn)億韓元（約合146億美元）在韓國(guó)清州市建立一座先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片工廠，擴(kuò)大包括HBM在內(nèi)的下一代DRAM的產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)快速增長(zhǎng)的AI需求。

公司將投資約5.3萬(wàn)億韓元建設(shè)M15X晶圓廠，作為新的DRAM生產(chǎn)基地，目標(biāo)于2025年11月竣工并盡早量產(chǎn)。隨著設(shè)備投資計(jì)劃逐步增加，新生產(chǎn)基地建設(shè)總投資長(zhǎng)期將超過(guò)20萬(wàn)億韓元。